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中国科学家成功研发了一种新型垂直纳米环栅晶

作者:888扑克手机版 发布时间:2020-06-15 18:49 点击数:

  不得不说,从上个世纪中期一直到现在,芯片技术都是高科技领域的尖端技术,现在的一部智能手机都要用到几十款芯片,不仅如此,芯片的集成度越来越高,制造难度越来越大,即使强大如英特尔,这么多年来也一直徘徊在14nm工艺,迟迟没有大规模向10nm工艺转型。

  如果回想十年前,那个时候芯片的制造工艺可以一下子从90nm升级到65nm,进而继续保持大幅度升级到45nm、22nm等工艺,但是近年来,芯片的制造工艺升级幅度越来越小,例如从22nm之后就开始进入16nm工艺,再之后就是14nm、12nm、11nm、10nm、8nm,现在最先进的是7nm,所以我们看到似乎每向前前进1nm都变得异常艰难。

  而当前芯片的晶体管技术,还是使用的当年英特尔首发的22nm技术,也就是FinFET技术,但是该晶体管技术可以利用的最大限度,基本就停留在4nm工艺,3nm以及以下的工艺,就需要新的晶体管技术来加持,可以说目前世界上在芯片的先进工艺上,基本上是台积电、三星和英特尔在主导,但今日我国中科院重磅宣布了一个大消息。

  来自中科院的消息称,中国科学家研发了一种新型垂直纳米环栅晶体管,它被视为2nm及以下工艺的主要技术候选,这一研究成果近日发表在国际微电子器件领域的顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上,获得多项中、美发明专利授权。目前来看,我国在芯片研发上已经具备国际一线nm工艺流片,不过在芯片制造上,目前我们还没有进入一线队列。

  然而这次中科院科学家在芯片制造方面的重大突破,可以说为以后我们在芯片制造领域做好了技术支撑,而剩下的需要我们攻克的,也算是芯片领域的最后一段难关,就是芯片的制造设备,其中主要是光刻机,目前全球仅荷兰的ASML可以提供最为先进的支持极紫外光刻技术的光刻机,相信我们的科学家未来一定可以为我们带来惊喜,我们拭目以待。

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